IGBT vs MOSFET

MOSFET (Transistor Kesan Semikonduktor Logam Oxide Metal) dan IGBT (Transistor Bipolar Transistor) mempunyai dua jenis transistor, dan kedua-duanya tergolong dalam kategori didorong pintu. Kedua-dua peranti mempunyai struktur mencari yang serupa dengan pelbagai jenis lapisan semikonduktor.

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

MOSFET adalah sejenis Transistor Kesan Medan (FET), yang terdiri daripada tiga terminal yang dikenali sebagai 'Gate', 'Source' dan 'Drain'. Di sini, arus saliran dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, MOSFET adalah peranti kawalan voltan.

MOSFET boleh didapati dalam empat jenis, seperti saluran n atau saluran p, sama ada dalam mod penipisan atau peningkatan. Saliran dan sumber diperbuat daripada n jenis semikonduktor untuk saluran MOSFETs n, dan juga untuk peranti saluran p. Pintu diperbuat daripada logam, dan dipisahkan dari sumber dan longkang menggunakan oksida logam. Penebat ini menyebabkan penggunaan kuasa yang rendah, dan ia adalah kelebihan dalam MOSFET. Oleh itu, MOSFET digunakan dalam logik CMOS digital, di mana p-dan n-channel MOSFET digunakan sebagai blok bangunan untuk meminimumkan penggunaan kuasa.

Walaupun konsep MOSFET dicadangkan sangat awal (pada tahun 1925), ia praktikal dilaksanakan pada tahun 1959 di laboratorium Bell.

Transistor Bipolar Transistor Gate (IGBT)

IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ia adalah jenis transistor, yang boleh mengendalikan jumlah kuasa yang lebih tinggi, dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya lebih tinggi. IGBT diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.

IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua MOSFET dan transistor junction bipolar (BJT). Ia adalah pintu yang didorong seperti MOSFET, dan mempunyai ciri-ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan kedua-dua keupayaan pengendalian semasa yang tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada beberapa peranti) boleh mengendalikan kilowatt kuasa.

Perbezaan antara IGBT dan MOSFET 1. Walaupun kedua-dua IGBT dan MOSFET adalah peranti kawalan voltan, IGBT mempunyai ciri-ciri pengaliran seperti BJT. 2. Terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pemungut, dan pintu gerbang, manakala MOSFET diperbuat daripada pintu, sumber, dan longkang. 3. IGBTs lebih baik dalam pengendalian kuasa berbanding MOSFETS 4. IGBT mempunyai simpang PN, dan MOSFET tidak mempunyai mereka. 5. IGBT mempunyai penurunan voltan ke hadapan yang lebih rendah berbanding dengan MOSFET 6. MOSFET mempunyai sejarah yang panjang berbanding IGBT